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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Toshiba
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
2SK1930(TE24L,Q) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
  • 類別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,TO-220SM
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
  • 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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2SK1930(TE24L,Q) 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):2SK1930(TE24L,Q)
  • 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.8 歐姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):700pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:100W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM
  • 2SK1930(TE24L,Q)優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Toshiba代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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