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| <![CDATA[<video id="bortc"><th id="bortc"><noscript id="bortc"></noscript></th></video>]]> | |
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 豐富的TI公司產品，TI芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
TPS1120DR 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：TPS1120DR
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：15V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：1.17A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：840mW
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- TPS1120DR優勢代理貨源，國內領先的TI芯片采購服務平臺。
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