產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerLDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購平臺
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CSD86330Q3D 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：CSD86330Q3D
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：NexFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個 N 通道（半橋）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：25V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：20A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：9.6 毫歐 @ 14A，8V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：920pF @ 12.5V
- 功率-最大值：6W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerLDFN
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