- 制造廠商:三星半導體
- 類別封裝:模塊,8GB
- 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
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- 提供當日發貨、嚴格的質量標準,滿足您的目標價格
M474B1G73EB0-YMA 技術參數詳情:
- 三星模塊型號:M474B1G73EB0-YMA
- 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:模塊
- DDR:三代雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- DIMM 類型:SODIMM
- 容量:8GB
- 內存區塊組織:2R x 8
- 速率:1866 Mbps
- 工作電壓:1.35 V
- 組件成分:(512M x 8) x 18
- M474B1G73EB0-YMA優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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