- 制造廠商:三星半導體
- 類別封裝:模塊,8GB
- 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
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M474A1K43BB1-CTD 技術參數詳情:
- 三星模塊型號:M474A1K43BB1-CTD
- 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:模塊
- DDR:四代雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- DIMM 類型:ECC SODIMM
- 容量:8GB
- 內存區塊組織:1R x 8
- 速率:2666 Mbps
- 工作電壓:1.2 V
- 組件成分:(1G x 8) x 18
- M474A1K43BB1-CTD優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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