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K6T1008V2E-TB7000
制造廠商：
三星半導體
類別封裝：
SRAM存儲器IC，出廠封裝
技術參數：
0
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點擊下圖下載技術文檔
K6T1008V2E-TB7000 技術參數詳情：
三星半導體完整型號：K6T1008V2E-TB7000
存儲器結構：1M×8
速度：70ns
電源電壓：3.3V
包裝：TSOP
環保標準：
K6T1008V2E-TB7000
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