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產品參考圖片
K6T1008C2E-GL55
制造廠商:
三星半導體
類別封裝:
SRAM存儲器IC,出廠封裝
技術參數(shù):
0
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點擊下圖下載技術文檔
K6T1008C2E-GL55 技術參數(shù)詳情:
三星半導體完整型號:K6T1008C2E-GL55
存儲器結構:1M×8
速度:55ns
電源電壓:5V
包裝:SOP
環(huán)保標準:
K6T1008C2E-GL55
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