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K6R1008V1D-TC10000
制造廠商：
三星半導體
類別封裝：
SRAM存儲器IC，出廠封裝
技術參數：
0
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點擊下圖下載技術文檔
K6R1008V1D-TC10000 技術參數詳情：
三星半導體完整型號：K6R1008V1D-TC10000
存儲器結構：1M×8
速度：100ns
電源電壓：
包裝：TSOP
環保標準：
K6R1008V1D-TC10000
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