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K6R1008V1D-JC10000
制造廠商:
三星半導體
類別封裝:
SRAM存儲器IC,出廠封裝
技術參數:
0
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點擊下圖下載技術文檔
K6R1008V1D-JC10000 技術參數詳情:
三星半導體完整型號:K6R1008V1D-JC10000
存儲器結構:1M×8
速度:100ns
電源電壓:
包裝:SOJ
環保標準:
K6R1008V1D-JC10000
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