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K4FHE3D4HM-MHCJ 圖片
  • 制造廠商:三星半導體
  • 類別封裝:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器,200FBGA
  • 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
  • 豐富的三星半導體公司產品,三星半導體芯片采購平臺
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K4FHE3D4HM-MHCJ 技術參數詳情:
  • 三星芯片型號:K4FHE3D4HM-MHCJ
  • 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能類別:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
  • 容量:24Gb
  • 架構:x32
  • 速率:3733 Mbps
  • 工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作溫度:-40 ~ 105 °C
  • 封裝:200FBGA
  • 產品狀態:批量生產
  • K4FHE3D4HM-MHCJ優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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