- 制造廠商:三星半導體
- 類別封裝:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器,200FBGA
- 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品,三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準,滿足您的目標價格
K4FBE3D4HM-GHCL 技術參數詳情:
- 三星芯片型號:K4FBE3D4HM-GHCL
- 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 容量:32Gb
- 架構:x32
- 速率:3733 Mbps
- 工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
- 工作溫度:-40 ~ 105 °C
- 封裝:200FBGA
- 產品狀態:批量生產
- K4FBE3D4HM-GHCL優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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