產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器，96FBGA
- 技術參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產(chǎn)品，三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準，滿足您的目標價格
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K4B4G1646E-BYK0 技術參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號：K4B4G1646E-BYK0
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 容量：4Gb
- 架構(gòu)：512M x 8
- 速率：1600 Mbps
- 工作電壓：1.35 V
- 工作溫度：0 ~ 85 °C
- 封裝：96FBGA
- 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
- K4B4G1646E-BYK0優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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