- 制造廠商:三星半導(dǎo)體
- 類別封裝:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器,78FBGA
- 技術(shù)參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,三星半導(dǎo)體芯片采購平臺
- 提供當日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準,滿足您的目標價格
K4B4G0846D-BYH9 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 三星芯片型號:K4B4G0846D-BYH9
- 制造商:三星半導(dǎo)體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 容量:4Gb
- 架構(gòu):512M x 8
- 速率:1333 Mbps
- 工作電壓:1.35 V
- 工作溫度:0 ~ 85 °C
- 封裝:78FBGA
- 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
- K4B4G0846D-BYH9優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的三星半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
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