- 制造廠商:三星半導體
- 類別封裝:雙倍數據率同步動態隨機存儲器,96FBGA
- 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品,三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準,滿足您的目標價格
K4B1G1646I-BYNB 技術參數詳情:
- 三星芯片型號:K4B1G1646I-BYNB
- 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 容量:1Gb
- 架構:64M x 16
- 速率:2133 Mbps
- 工作電壓:1.35 V
- 工作溫度:0 ~ 85 °C
- 封裝:96FBGA
- 產品狀態:批量生產
- K4B1G1646I-BYNB優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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