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K4A4G085WE-BITD 圖片
  • 制造廠商:三星半導體
  • 類別封裝:雙倍數據率同步動態隨機存儲器,78FBGA
  • 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
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K4A4G085WE-BITD 技術參數詳情:
  • 三星芯片型號:K4A4G085WE-BITD
  • 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
  • 容量:4Gb
  • 架構:512M x 8
  • 速率:2666 Mbps
  • 工作電壓:1.2 V
  • 工作溫度:-40 ~ 95 °C
  • 封裝:78FBGA
  • 產品狀態:批量生產
  • K4A4G085WE-BITD優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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