產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-220
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購平臺
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STP11NM65N 技術(shù)參數(shù)詳情：
- ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STP11NM65N
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 系列：MDmesh II
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：650V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：455 毫歐 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 50V
- 功率 - 最大值：110W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-220
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