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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PowerFlat?（5x6）雙面
- 技術參數：MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
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STLD200N4F6AG 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：STLD200N4F6AG
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET? F6
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：40V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：120A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.5 毫歐 @ 75A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：172nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：10700pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：158W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PowerFlat?（5x6）雙面
- STLD200N4F6AG優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
