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ST
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
STLD125N4F6AG 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導(dǎo)體)
  • 類(lèi)別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:PowerFlat?(5x6)雙面
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  • 豐富的ST公司產(chǎn)品,ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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STLD125N4F6AG 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):STLD125N4F6AG
  • 制造商:ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:STripFET? F6
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類(lèi)型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):40V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):120A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):6.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3 毫歐 @ 75A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):91nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):5600pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):130W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PowerFlat?(5x6)雙面
  • STLD125N4F6AG優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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