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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：單路IGBT，MAX247
- 技術參數：IGBT 650V 120A 469W MAX247
- 豐富的ST公司產品，ST芯片采購平臺
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STGY80H65DFB 技術參數詳情：
- ST意法半導體公司完整型號：STGY80H65DFB
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 650V 120A 469W MAX247
- 系列：-
- IGBT 類型：溝道和場截止
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：120A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：240A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值：469W
- Switching Energy：2.1mJ （開）， 1.5mJ （關）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：414nC
- 25°C 時 Td（開/關）值：84ns/280ns
- Test Condition：400V， 80A， 10 歐姆， 15V
- 反向恢復時間 (trr)：85ns
- 封裝/外殼：TO-247-3
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：MAX247
- STGY80H65DFB優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
