- 制造廠商:ST(意法半導體)
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
- 技術參數:IGBT 600V 60A 260W TO247
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STGW30H60DFB 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:STGW30H60DFB
- 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 600V 60A 260W TO247
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類型:溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
- 電流-集電極脈沖(Icm):120A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
- 功率-最大值:260W
- 開關能量:383μJ(開),293μJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:149nC
- 25°C時Td(開/關)值:37ns/146ns
- 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):53ns
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-247-3
- STGW30H60DFB優(yōu)勢代理貨源,國內領先的ST芯片采購服務平臺。