- 制造廠商:ST(意法半導體)
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 40A 167W TO220
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STGP20H60DF 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:STGP20H60DF
- 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 600V 40A 167W TO220
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類型:溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):40A
- 電流-集電極脈沖(Icm):80A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
- 功率-最大值:167W
- 開關能量:209μJ(開),261μJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:115nC
- 25°C時Td(開/關)值:42.5ns/177ns
- 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):90ns
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-220-3
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