
- 制造廠商:ST(意法半導體)
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
- 技術參數(shù):IGBT 600V 30A 125W TO220
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STGP12NB60KD 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:STGP12NB60KD
- 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 600V 30A 125W TO220
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:PowerMESH?
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
- 電流-集電極脈沖(Icm):60A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,12A
- 功率-最大值:125W
- 開關能量:258μJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:54nC
- 25°C時Td(開/關)值:25ns/96ns
- 測試條件:480V,12A,10 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):80ns
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-220-3
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