產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
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STGD5H60DF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGD5H60DF
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：20A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A
- 功率-最大值：83W
- 開關(guān)能量：56μJ（開），78.5μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：43nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：30ns/140ns
- 測試條件：400V，5A，47 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：134.5ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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