產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 20V 40A DPAK
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STGD19N40LZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGD19N40LZ
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 20V 40A DPAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：390V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：25A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：40A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 4.5V，10A
- 功率-最大值：125W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：邏輯
- 柵極電荷：17nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：650ns/13.5μs
- 測試條件：300V，10A，1 千歐，5V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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