- 制造廠商:ST(意法半導體)
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 技術參數(shù):IGBT 600V 35A 125W D2PAK
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STGB19NC60KT4 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產品型號:STGB19NC60KT4
- 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列:PowerMESH?
- 零件狀態(tài):停產
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):35A
- 電流-集電極脈沖(Icm):75A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A
- 功率-最大值:125W
- 開關能量:165μJ(開),255μJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:55nC
- 25°C時Td(開/關)值:30ns/105ns
- 測試條件:480V,12A,10 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):-
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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