產品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK
- 技術參數：MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
- 豐富的ST公司產品，ST芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
STB6NM60N 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：STB6NM60N
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：MDmesh? II
- 零件狀態：停產
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：4.6A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：920 毫歐 @ 2.3A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：420pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：D2PAK
- STB6NM60N優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
