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ST
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SCTW35N65G2VAG 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導體)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:HiP247?
  • 技術參數:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
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SCTW35N65G2VAG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SCTW35N65G2VAG
  • 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
  • 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):45A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):18V,20V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):67毫歐 @ 20A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):73nC @ 20V
  • Vgs(最大值):+22V,-10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1370pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):240W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:HiP247?
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