產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：H2PAK-7
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
SCTH100N65G2-7AG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SCTH100N65G2-7AG
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：95A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 50A，18V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：162nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3315pF @ 520V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：360W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：H2PAK-7
- SCTH100N65G2-7AG優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺