- 制造廠商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:HiP247?
- 技術(shù)參數(shù):SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- 豐富的ST公司產(chǎn)品,ST芯片采購平臺
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SCT50N120 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:SCT50N120
- 制造商:ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)
- 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:N 通道
- 技術(shù):SiCFET(碳化硅)
- 漏源電壓(Vdss):1200V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):65A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):69 毫歐 @ 40A,20V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):122nC @ 20V
- Vgs(最大值):+25V,-10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 400V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):318W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 器件封裝:HiP247?
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