- 制造廠商:ST(意法半導體)
- 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:模塊
- 技術(shù)參數(shù):IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
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A1P25S12M3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:A1P25S12M3
- 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
- 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類型:溝槽型場截止
- 配置:三相反相器
- 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):25A
- 功率-最大值:197W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,25A
- 電流-集電極截止(最大值):100μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies):1550pF @ 25V
- 輸入:標準
- NTC熱敏電阻:是
- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝:模塊
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