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- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：單端場效應管，8-DFN3333
- 技術參數：MOSFET LV 8HVSON
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UPA2732UT1A-E1-AY 技術參數詳情：
- Renesas瑞薩完整型號：UPA2732UT1A-E1-AY
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET LV 8HVSON
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：40A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 20A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：133nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3280pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：8-DFN3333（3.3x3.3）
- UPA2732UT1A-E1-AY優勢代理貨源，國內領先的Renesas芯片采購服務平臺。
