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- 制造廠商:Renesas(瑞薩)
- 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3 整包
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
- 豐富的Renesas公司產(chǎn)品,Renesas芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格

RJH60V1BDPP-M0#T2 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):RJH60V1BDPP-M0#T2
- 制造商:瑞薩電子(Renesas Electronics)
- 描述:IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類(lèi)型:溝道
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):16A
- 電流-集電極脈沖(Icm):-
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,8A
- 功率-最大值:30W
- 開(kāi)關(guān)能量:17μJ(開(kāi)),110μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:19nC
- 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:30ns/55ns
- 測(cè)試條件:300V,8A,5 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝:TO-220-3 整包
- RJH60V1BDPP-M0#T2優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Renesas芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Renesas代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)