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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Renesas
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
RJH60F6BDPQ-A0#T0 圖片
  • 制造廠商:Renesas(瑞薩)
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
  • 豐富的Renesas公司產(chǎn)品,Renesas芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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RJH60F6BDPQ-A0#T0 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):RJH60F6BDPQ-A0#T0
  • 制造商:瑞薩電子(Renesas Electronics)
  • 描述:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):最後搶購(gòu)
  • IGBT類型:溝道
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):85A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,45A
  • 功率-最大值:297.6W
  • 開關(guān)能量:-
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:58ns/131ns
  • 測(cè)試條件:400V,30A,5 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
  • RJH60F6BDPQ-A0#T0優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Renesas芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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