產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 75A 200W TO3P
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RJH60D5DPK-00#T0 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：RJH60D5DPK-00#T0
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：IGBT 600V 75A 200W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：75A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，37A
- 功率-最大值：200W
- 開關(guān)能量：650μJ（開），400μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：78nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：50ns/135ns
- 測試條件：300V，37A，5 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：100ns
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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