- 制造廠商:Renesas(瑞薩)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerLDFN
- 技術參數:POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
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NP30N06QDK-E1-AY 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:NP30N06QDK-E1-AY
- 制造商:瑞薩電子(Renesas Electronics)
- 描述:POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產品系列:Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態:有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標準
- 漏源電壓(Vdss):60V
- 25°C時電流-連續漏極(Id):30A(Tc)
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):14 毫歐 @ 15A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2250pF @ 25V
- 功率-最大值:1W(Ta),59W(Tc)
- 工作溫度:175°C
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-PowerLDFN
- NP30N06QDK-E1-AY優勢代理貨源,國內領先的Renesas芯片采購服務平臺。