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Renesas
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產品參考圖片
NP100P04PDG-E1-AY 圖片
  • 制造廠商:Renesas(瑞薩)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-263
  • 技術參數:MOSFET P-CH 40V 100A TO263
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NP100P04PDG-E1-AY 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:NP100P04PDG-E1-AY
  • 制造商:瑞薩電子(Renesas Electronics)
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 100A TO263
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):40V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):100A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.5 毫歐 @ 50A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):320nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):15100pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.8W(Ta),200W(Tc)
  • 工作溫度:175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:TO-263
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