產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-263
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 83A TO-263
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2SK3479-Z-E1-AZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Renesas瑞薩完整型號：2SK3479-Z-E1-AZ
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 83A TO-263
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：83A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 42A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：210nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：11000pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-263，TO-220SMD
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