US6M11TR 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):US6M11TR
- 制造商:羅姆半導(dǎo)體(ROHM Semiconductor)
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:N 和 P 溝道
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):20V,12V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):1.5A,1.3A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):180 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):1.8nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):110pF @ 10V
- 功率-最大值:1W
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-SMD,扁平引線
- US6M11TR優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ROHM代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)