- 制造廠商:ROHM(羅姆)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
- 技術(shù)參數(shù):4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品,ROHM芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
SH8K25GZ0TB 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):SH8K25GZ0TB
- 制造商:羅姆半導(dǎo)體(ROHM Semiconductor)
- 描述:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓(Vdss):40V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):5.2A(Ta)
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):85mOhm @ 5.2A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):1.7nC @ 5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):100pF @ 10V
- 功率-最大值:2W(Ta)
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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