產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-268
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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SCT2750NYTB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SCT2750NYTB
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類(lèi)型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1700V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：5.9A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：975 毫歐 @ 1.7A，18V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 630μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+22V，-6V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：275pF @ 800V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-268
- SCT2750NYTB優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ROHM代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)