產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-HSMT（3.2x3）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
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RQ3E120ATTB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：RQ3E120ATTB
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：12A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 12A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3200pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-HSMT（3.2x3）
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