產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，IGBT 650V 40A 161W TO-263S
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 650V 40A 161W TO-263S
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購(gòu)平臺(tái)
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RGT40NS65DGTL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：RGT40NS65DGTL
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：IGBT 650V 40A 161W TO-263S
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
- 功率-最大值：161W
- 開(kāi)關(guān)能量：-
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：40nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：22ns/75ns
- 測(cè)試條件：400V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：58ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- RGT40NS65DGTL優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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