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- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3 整包
- 技術參數：FIELD STOP TRENCH IGBT
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RGT30TM65DGC9 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：RGT30TM65DGC9
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：FIELD STOP TRENCH IGBT
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：14A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
- 功率-最大值：32W
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：32nC
- 25°C時Td（開/關）值：18ns/64ns
- 測試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：55ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3 整包
- RGT30TM65DGC9優勢代理貨源，國內領先的ROHM芯片采購服務平臺。
