產品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，MOSFET N-CH 600V 9A TO252
- 技術參數：MOSFET N-CH 600V 9A TO252
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R6009JND3TL1 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：R6009JND3TL1
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 9A TO252
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：9A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：585 毫歐 @ 4.5A，15V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：7V @ 1.38mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 15V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：645pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-252
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