IMB3AT110 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IMB3AT110
- 制造商:羅姆半導體(ROHM Semiconductor)
- 描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
- 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài):有源
- 晶體管類型:2 個 PNP 預(yù)偏壓式(雙)
- 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器-基極(R1):4.7 千歐
- 電阻器-發(fā)射極(R2):-
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 2.5mA,5mA
- 電流-集電極截止(最大值):-
- 頻率-躍遷:250MHz
- 功率-最大值:300mW
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:SC-74,SOT-457
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