產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- 技術(shù)參數(shù)：HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
HP8M31TB1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HP8M31TB1
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：8.5A（Ta）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：12.3nC，38nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：470pF，2300pF @ 30V
- 功率-最大值：3W（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerTDFN
- HP8M31TB1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)ROHM代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)