- 制造廠商:ROHM(羅姆)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:模塊
- 技術參數:SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
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BSM400D12P2G003 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:BSM400D12P2G003
- 制造商:羅姆半導體(ROHM Semiconductor)
- 描述:SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產品系列:-
- 零件狀態:有源
- FET類型:2 個 N 通道(半橋)
- FET功能:碳化硅(SiC)
- 漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
- 25°C時電流-連續漏極(Id):400A(Tc)
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 85mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):38000pF @ 10V
- 功率-最大值:2450W(Tc)
- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:-
- 封裝:模塊
- BSM400D12P2G003優勢代理貨源,國內領先的ROHM芯片采購服務平臺。