產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：松下半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管（BJT） - 單路﹐預(yù)偏壓式，TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術(shù)參數(shù)：TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
- 豐富的松下半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，松下半導(dǎo)體芯片采購平臺
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DRA2115E0L 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號: DRA2115E0L
- 制造商：松下半導(dǎo)體（Panasonic Electronic Components）
- 功能總體簡述: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
- 系列: -
- 晶體管類型: PNP - 預(yù)偏壓
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 100mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 50V
- 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）: 100k
- 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）: 100k
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 5mA，10V
- 不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）: 250mV @ 500μA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）: 500nA
- 頻率 - 躍遷: -
- 功率 - 最大值: 200mW
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝: 迷你型3-G3-B
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