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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Nexperia
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
PSMN1R6-30BL 圖片
  • 制造廠商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
  • 類別封裝:FET,MOSFET - 單-晶體管,TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  • 豐富的Nexperia公司產(chǎn)品,Nexperia芯片采購(gòu)平臺(tái)
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PSMN1R6-30BL 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • Nexperia公司器件型號(hào):PSMN1R6-30BL,118
  • 制造商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
  • 功能總體描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  • 所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):在售
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源極電壓(Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):212nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):12493pF @ 15V
  • Vgs(最大值):±20V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):306W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 25A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:D2PAK
  • 封裝形式:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • PSMN1R6-30BL的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):800 PCS
  • PSMN1R6-30BL優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Nexperia芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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