產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 類別封裝：FET，MOSFET - 單-晶體管，6-UDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
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PMPB11EN 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Nexperia公司器件型號(hào)：PMPB11EN,115
- 制造商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
- 所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：在售
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：20.6nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：840pF @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），12.5W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：14.5 毫歐 @ 9A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：6-DFN2020MD（2x2）
- 封裝形式：6-UDFN
- PMPB11EN的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：3000 PCS
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